輻照試驗類型依據(jù)輻照劑量、劑量率、輻照時間和溫度來區(qū)分，分為環(huán)境背景輻照試驗和有害核輻照試驗。
1、環(huán)境背景輻照下的衰減測量 按照方法A（截斷法）測量試樣在規(guī)定波長下的衰減，記錄試樣暴露于伽瑪輻照源前的衰減值A。最初衰減測量環(huán)境溫度應與輻照試驗期間測量溫度相同。
2、有害核環(huán)境下的衰減測量 記錄暴露在伽瑪輻照源前的輸出功率。 暴露在伽瑪輻照下的有害核輻照效應，將由試樣受到的標稱劑量率為1 000 Gy/h，暴露的總劑量為1000 Gy確定。
為模擬特殊規(guī)定的條件，在產(chǎn)品規(guī)范中，可以要求其他劑量和劑量率組合的有害核環(huán)境輻照。

在高能射線輻照后其應用性能會顯著下降，因此有必要對摻鐿光纖材料在輻照環(huán)境下的性能變化進行深入研究。光纖產(chǎn)品伽瑪輻照試驗目的是測定成纜或未成纜A1類、A2類多模光纖和B類單模光纖因暴露在伽瑪輻照下產(chǎn)生的輻照感應衰減值。
健明迪檢測可靠性實驗中心具備各種光纖的環(huán)境試驗能力，為光纖產(chǎn)品提供專業(yè)的伽瑪輻照試驗服務。

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GB/T 15972.54-2008 光纖試驗方法規(guī)范第54部分：環(huán)境性能的測量方法和試驗程序 伽瑪輻照
IEC60793-1-54：2003光纖 第1-54部分：測量方法和試驗程序-伽瑪輻照
GB/T 15972.40-2008光纖試驗方法規(guī)范 第40部分：傳輸特性和光學特性的測量方法和試驗程序 衰減
GB/T 15972.44-2008光纖試驗方法規(guī)范 第44部分：傳輸特性和光學特性的測量方法和試驗程序-截止波長
IEC/TR 62283核輻照 纖維光學指南

成纜或未成纜A1類、A2類多模光纖和B類單模光纖